開關(guān)電源作為運用于開關(guān)狀況的能量轉(zhuǎn)化設(shè)備，開關(guān)電源的電壓、電流改動率很高，所以發(fā)生的干擾強度也比較大。
干擾源首要會合在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相關(guān)于數(shù)字電路干擾源的方位較為清楚。開關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），首要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾。而印刷線路板（PCB）走線通常選用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了 PCB 散布參數(shù)的提取和近場 干擾估量的難度。
1MHZ 以內(nèi)：以差模干擾為主，增大 X 電容就可處理；
1MHZ—5MHZ：差模共模混合，選用輸入端并一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超支并處理;
5M：以上以共摸干擾為主，選用按捺共摸的辦法。關(guān)于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)繞2圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減（diudiu2006）;
關(guān)于25--30MHZ不過可以選用加大對地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改動PCBLAYOUT、輸出線前面接一個雙線并繞的小磁環(huán)，最少繞10圈、在輸出整流管兩端并 RC 濾波器。
30—50MHZ：廣泛是 MOS 管高速注冊關(guān)斷引起，可以用增大MOS驅(qū)動電阻，RCD緩沖電路選用 1N4007慢管，VCC供電電壓用 1N4007慢管來處理。
100—200MHZ：廣泛是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，可以在整流管上串磁珠
100MHz—200MHz：之間大部分出于 PFCMOSFET及PFC二極管，現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有作用，水平方向根本可以處理問題，但垂直方向就沒辦法了。
開關(guān)電源的輻射一般只會影響到 100M 以下的頻段。也可以在 MOS，二極管上加相應(yīng)吸收回路，但功率會有所下降。
規(guī)劃開關(guān)電源時防止 EMI 的措施
1.把噪音電路節(jié)點的 PCB 銅箔面積最大極限地減小;如開關(guān)管的漏極、集電極，初次級繞組的節(jié)點，等。
2.使輸入和輸出端遠離噪音元件，如變壓器線包，變壓器磁芯，開關(guān)管的散熱片，等等。
3.使噪音元件（如未隱瞞的變壓器線包，未隱瞞的變壓器磁芯，和開關(guān)管，等等）遠離外殼邊際，因為在正常操作下外殼邊際很可能接近外面的接地線。
4.如果變壓器沒有運用電場屏蔽，要堅持屏蔽體和散熱片遠離變壓器。
5.盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級（輸出）整流器，初級開關(guān)功率器材，柵極（基極）驅(qū)動線路，輔佐整流器。
6.不要將門極（基極）的驅(qū)動返饋環(huán)路和初級開關(guān)電路或輔佐整流電路混在一起。
7.調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值，使它在開關(guān)的死區(qū)時間里不發(fā)生振鈴響聲。
8.防止 EMI 濾波電感飽滿。
9.使拐彎節(jié)點和次級電路的元件遠離初級電路的屏蔽體或許開關(guān)管的散熱片。
10.堅持初級電路的擺動的節(jié)點和元件本體遠離屏蔽或許散熱片。
11.使高頻輸入的 EMI 濾波器接近輸入電纜或許連接器端。
12.堅持高頻輸出的 EMI 濾波器接近輸出電線端子。
13.使 EMI 濾波器對面的 PCB 板的銅箔和元件本體之間堅持必定距離。
14.在輔佐線圈的整流器的線路上放一些電阻。
15.在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。
16.在輸出 RF 濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。
17.在 PCB 規(guī)劃時容許放 1nF/500V 陶瓷電容器或許還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級的靜端和輔佐繞組之間。
18.堅持 EMI 濾波器遠離功率變壓器;尤其是防止定位在繞包的端部。
19.在 PCB 面積滿意的情況下，可在 PCB 上留下放屏蔽繞組用的腳位和放 RC 阻尼器的方位，RC 阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。
20.空間容許的話在開關(guān)功率場效應(yīng)管的漏極和門極之間放一個小徑向引線電容器（米勒電容，10 皮法/1 千伏電容）。
21.空間容許的話放一個小的 RC 阻尼器在直流輸出端。
22.不要把 AC 插座與初級開關(guān)管的散熱片靠在一起。
